Integral IN3V1GNYNGI メモリモジュール 1 GB DDR3
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29 May 2025, 14:33:51
サマリー（簡略版） Integral IN3V1GNYNGI メモリモジュール 1 GB DDR3:
Integral IN3V1GNYNGI, 1 GB, DDR3, 1066 MHz, 204-pin SO-DIMM
製品概要（詳細） Integral IN3V1GNYNGI メモリモジュール 1 GB DDR3:
Integral IN3V1GNYNGI. 対応コンポーネント: ノートブック型, 内蔵メモリ: 1 GB, 内蔵メモリ型式: DDR3, メモリクロック速度: 1066 MHz, メモリ外形: 204-pin SO-DIMM, CAS遅延: 7