Integral IN2V1GNWNEI, 1 기가바이트, DDR2, 667 메가헤르츠, 200-pin SO-DIMM
Integral IN2V1GNWNEI. 의 구성 요소: 노트북, 내장 메모리: 1 기가바이트, 내장메모리종류: DDR2, 메모리 클락 속도: 667 메가헤르츠, 메모리 폼 팩터: 200-pin SO-DIMM, CAS 지연시간: 5